Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti


НазваниеРазработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti
страница1/3
СМИРНОВ Владимир Александрович
Дата конвертации15.08.2012
Размер323,2 Kb.
ТипАвтореферат
Год2008
На соискание ученой степениКандидат технических наук

Описание:
Цель работы: Целью диссертационной работы является разработка и моделирование фотонностимулированного технологического процесса локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti для создания элементной базы наноэлектроники.

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр

Похожие:

Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур
Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
Н. И. Каргин (Национальный исследовательский ядерный университет «мифи», г. Москва)
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка научно-технологических основ производства катализаторов дегидрирования для синтеза изопрена
Разработка научно-технологических основ производства катализаторов дегидрирования
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка научных и технологических основ создания перевязочных средств из биодеструктируемых и биосовместимых волокнистых материалов на основе полилактида
Защита состоится «21» декабря 2011 г в 10: 00 на заседании диссертационного
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе
Защита состоится «30» сентября 2011 г в 14 ч. 20 мин на заседании
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка конструктивно-технологических методов роста углеродных наноструктур для автоэмиссионных применений

Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка и исследование технологии формирования наноструктур на основе нитридов элементов III группы
Миэт” в научно-образовательном центре «Зондовой микроскопии и нанотехнологий»
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка и исследование технологических основ создания пленок полимерных нанокомпозитов с углеродными наноструктурами для устройств микроэлектронной сенсорики
Унт, при этом транспорт носителей заряда в графене менее чувствителен к
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка основ технологии создания и исследование газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структуры TiO 2 /пористый SiC
Разработка основ технологии создания и исследование газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структуры TiO2/пористый...
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti iconРазработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и втсп соединений
Оптоэлектроника и ее достижения неотъемлемая часть жизни современного
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница