Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния


PDF просмотр
НазваниеРазработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
страница1/7
РЫЖУК Роман Валериевич
Дата конвертации16.08.2012
Размер112,53 Kb.
ТипАвтореферат
Год2010
На соискание ученой степениКандидат технических наук

Описание:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр
PDF просмотр

Похожие:

Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconРазработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе si/SiO 2 /Ti
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе...
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconРазработка термостойких композиционных материалов на основе карбида кремния
Циолковского, ауд. 220А. Отзыв на автореферат в одном экземпляре заверенный
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconИсследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур
Ведущая организация: Московский физико технический институт
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconРазработка технологии и создание gaAs свч монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов шоттки
...
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconРазработка и исследование процесса прямого лазерного изготовления детали из композиционного материала на основе стали и карбида титана
Работа выполнена в Московском государственном техническом университете имени Н. Э. Баумана
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconРазработка научно-технологических основ производства катализаторов дегидрирования для синтеза изопрена
Разработка научно-технологических основ производства катализаторов дегидрирования
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconИсследование процессов радиационного дефектообразования и радиационного легирования в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии
Работа выполнена в гоу впо «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет»
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния icon«Исследование и разработка механически легированных композиционных материалов на основе вторичного алюминиевого сырья»
Гоу впо «мати» Российский государственный технологический университет имени К. Э. Циолковского
Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconКристаллическая структура полиморфных и политипных модификаций карбида кремния

Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния iconРазработка научных и технологических основ создания перевязочных средств из биодеструктируемых и биосовместимых волокнистых материалов на основе полилактида
Защита состоится «21» декабря 2011 г в 10: 00 на заседании диссертационного
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница