Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4


PDF просмотр
НазваниеМорфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4
страница1/9
Исаков Михаил Александрович
Дата конвертации17.08.2012
Размер135,06 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьТвердотельная электроника,
Год2010
На соискание ученой степениКандидат физико-математических наук

Описание:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр
PDF просмотр

Похожие:

Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconУдарное возбуждение ионов эрбия в кремниевых светодиодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconИсследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях
В настоящее время активно развивается физика низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур. Интерес к подобным исследованиям
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconПринципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений iii-n, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
С этой точки зрения млэ с использованием аммиака в качестве источника азота
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconИсследование процессов радиационного дефектообразования и радиационного легирования в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии
Работа выполнена в гоу впо «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет»
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconИсследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образо- вательном учреждении высшего профессионального образования «Санкт-...
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconМагнитооптический эллипсометрический комплекс для получения и исследования наноструктур в установке молекулярно- лучевой эпитаксии
Совета д 003. 055. 01 при Институте физики им. Л. В. Киренского со ран по адресу: 660036, Красноярск, Академгородок 50, стр. 38
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconИсследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах siC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования
Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный...
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconСтруктура и оптические свойства пленок закиси
В спектрах оптического поглощения и пропускания тонких пленок р- cu2O, полученных химическим методом обнаружено
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconОптические свойства растворов белков, содержащих ионы тяжелых металлов
К 501. 001. 08 в мгу им. М. В. Ломоносова по адресу: 119992, гсп-2, г. Москва, Ленинские горы, мгу им. М. В
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 iconРазработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и втсп соединений
Оптоэлектроника и ее достижения неотъемлемая часть жизни современного
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница