Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами


PDF просмотр
НазваниеКоллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
Минцев Антон Викторович
Дата конвертации17.08.2012
Размер63,38 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика конденсированного состояния
Год2003

Описание:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр
PDF просмотр

Похожие:

Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconКоллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурахс квантовыми ямами

Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconСпиновые и коллективные эффекты в гетероструктурах inAs/AlSb с квантовыми ямами

Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconЕмкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками

Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconЕмкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
Д 002. 205. 02 при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе ран по адресу: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая, д. 26
Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconЦиклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами

Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconСпектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами inGaN/GaN

Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconЛазерная спектроскопия и когерентная оптическая динамика 2d-экситонных зеркал на основе alGaAs структур с изолированными gaAs квантовыми ямами
Санкт-Петербург, Петродворец, Ульяновская 1, конференц-зал нии физики им. В. А. Фока
Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconОсобенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах inGaN/AlGaN/Gan с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
При этом, эффективность светодиода определяется произведением его внутреннего
Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconИсследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
Работа выполнена на кафедре Радиофизики и электроники в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования...
Коллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами iconЭффект поля, зарядовые состояния и ик фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
Защита состоится «29» ноября 2011 г на заседании диссертационного совета
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница