Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge


PDF просмотр
НазваниеЭлектронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge
страница1/7
БЛОШКИН Алексей Александрович
Дата конвертации13.08.2012
Размер92,8 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика полупроводников
Год2011
На соискание ученой степениКандидат физико-математических наук

Описание:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр
PDF просмотр

Похожие:

Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconЕмкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками

Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconЕмкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
Д 002. 205. 02 при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе ран по адресу: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая, д. 26
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconГетероструктуры с ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на si(001) подложках и релаксированных siGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции
Наноостровками и квантовыми точками на si(001) подложках и релаксированных siGe/Si(001) буферных
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconСпектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами inGaN/GaN

Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconМорфофункциональная и биохимическая альтерация клеток крови квантовыми точками
Было показано, что кт в отличие от микрочастиц, способны проникать через
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconЭффект поля, зарядовые состояния и ик фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
Защита состоится «29» ноября 2011 г на заседании диссертационного совета
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconИсследование процессов перезарядки мдп элемента памяти с квантовыми точками
Элементы памяти являются неотъемлемой частью многих устройств, таких как
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconИсследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях
В настоящее время активно развивается физика низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур. Интерес к подобным исследованиям
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconДислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка
Ведущая организация: Институт проблем технологии микроэлектро
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge iconКластерные модели, электронная структура и реакционная способность Fe и FeO активных центров Fe/hzsm-5 цеолитных катализаторов
Кластерные модели, электронная структура и реакционная способность Fe и FeO активных центров
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница