Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями


НазваниеФотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
страница1/2
ХАБАРОВ Юрий Васильевич
Дата конвертации13.08.2012
Размер331,88 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика полупроводников
Год2007
На соискание ученой степениКандидат физико-математических наук

Описание:
Цель работы: Цель работы Целью настоящей работы является:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр

Похожие:

Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconОптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Физический факультет
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconОптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия
Защита состоится 16 июня 2010 года в 15 часов на заседании совета по защите
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconСпектроскопия адмиттанса полупроводниковых гетероструктур с множественными квантовыми ямами inGaN/GaN

Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconМагнитные и деформационные процессы в полупроводниковых структурах с магнитными слоями для микромеханических устройств
Д212. 134. 01 в Московском государственном институте электронной техники по адресу Москва, г. Зеленоград, проезд 4806, д5
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconМагнитные свойства полупроводниковых наноструктур, сильнолегированных бором
Защита состоится «15» февраля 2012 г в 16 ч. 00 мин на заседании
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconРентгеновская диагностика в изучении особенностей формирования полупроводниковых наноструктур
А. В. Шубникова Российской академии наук по адресу: 119333, г. Москва, Ленинский пр-т, д. 59
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconФормирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь
Институт Радиотехники и электроники
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconОсобенности электронного строения и поверхностных свойств полупроводниковых наноструктур для фотоники
Защита состоится «21» мая 2010 г в час мин на заседании диссертационного
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconНелинейная терагерцевая спектроскопия полупроводниковых сверхрешеток
В. А. Котельникова ран защита состоится 8 декабря 2010 г в 1400 часов на заседании диссертацион
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями iconРазработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и втсп соединений
Оптоэлектроника и ее достижения неотъемлемая часть жизни современного
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница