Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях


PDF просмотр
НазваниеИсследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях
страница1/7
Лобанов Дмитрий Николаевич
Дата конвертации07.09.2012
Размер110,54 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика конденсированного состояния
Год2006
На соискание ученой степениКандидат физико-математических наук

Описание:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр
PDF просмотр

Похожие:

Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconГетероструктуры с ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на si(001) подложках и релаксированных siGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции
Наноостровками и квантовыми точками на si(001) подложках и релаксированных siGe/Si(001) буферных
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconМорфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4
Работа выполнена в Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconФормирование кубической текстуры в подложках из никелевых сплавов и буферных оксидных слоях на их поверхности
Кроме того, для применения необходимы большие количества втсп материала
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconИсследование процессов радиационного дефектообразования и радиационного легирования в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии
Работа выполнена в гоу впо «Санкт-Петербургский государственный политехнический университет»
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconСпектральные исследования особенностей процессов сорбции в разбавленных растворах
Д 501. 001. 45 на базе Московского государственного уни- верситета имени М. В. Ломоносова по адресу: 119991, Россия, г. Москва, Ле-...
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconВзаимовлияние волновых и колебательных процессов в предварительно напряженных элементах и системах
Акустический институт ран им. Н. Н. Андреева Защита диссертации состоится “ 7 ” октября 2011 г в 14 часов на заседании диссертационного...
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconИдентификация и изучение функциональных особенностей новой теломеразы дрожжей
Защита состоится 13 марта 2012 года в 17 часов на заседании диссертационного совета д 501. 001. 41
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconЛукша модель сбалансированного роста с учетом интеллектуальных ресурсов и ее приложение к проблеме экономического роста в РФ специализация
Проблема роста в социально-экономической системе и структурной экономической политики 15
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconЭлектрофизические и фотоэлектрические свойства твердых растворов si1-хSnx (0  Х  04)
Физика-Солнце” ан руз по адресу: 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор йўли, 2б
Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях iconАнализ взаимосвязи экономического роста и характеристик российской инновационной системы
Д 003. 001. 01 при Институте экономики и организации промышленного производства со ран по адресу: 630090
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница