Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь


PDF просмотр
НазваниеФормирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь
страница1/10
УСИКОВА АННА АЛЕКСАНДРОВНА
Дата конвертации22.09.2012
Размер144,57 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика полупроводников
Год2011
На соискание ученой степениКандидат физико-математических наук

Описание:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр
PDF просмотр

Похожие:

Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconОптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
Защита состоится апреля 2009 г в часов на заседании Диссертационного Совета
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconМидерос мора даниэль алехандро оптические свойства соединений а 2 в 6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон. ( На примере системы z n s-z n s e )
Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconМагнитные свойства полупроводниковых наноструктур, сильнолегированных бором
Защита состоится «15» февраля 2012 г в 16 ч. 00 мин на заседании
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconРазработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и втсп соединений
Оптоэлектроника и ее достижения неотъемлемая часть жизни современного
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconСтруктура и свойства нанокомпозитов на основе фенилона, содержащих дисперсный нанонаполнитель
Работа выполнена на кафедре высокомолекулярных соединений в гоу впо кабардино-Балкарский государственный университет
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconЭлектронное строение, химическая связь и оптические свойства некоторых рядов алмазоподобных соединений

Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconОптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с тунельно-тонким диэлектриком (TI).
Профессор Дмитрий Анатолиевич Фирсов
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconРедокс-свойства и антиоксидантная активность соединений, содержащих фрагмент пространственно-затрудненного фенола

Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconОптические свойства радиационных поляритонов в полупроводниковых слоях с сильным экситонным резонансом
Работа выполнена в Саратовском филиале Института радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук
Формирование и оптические свойства наноструктур на основе in-содержащих полупроводниковых соединений а3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами с п е ц и а л ь н о с т ь iconКомпозитные структуры с фотонной запрещенной зоной на основе пористого кремния и их оптические и нелинейно-оптические свойства
Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе ран (г. Санкт-Петербург) Защита состоится 24 марта 2010 г в 15 часов на заседании совета...
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница