Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления


PDF просмотр
НазваниеПолупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления
страница1/2
АРАКЧЕЕВА Екатерина Михайловна
Дата конвертации22.09.2012
Размер117,19 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика полупроводников
Год2008
На соискание ученой степениКандидат физико-математических наук

Описание:

Чтобы увидеть текст работы нажмите на ссылку "Предварительный просмотр"
Предварительный просмотр
PDF просмотр

Похожие:

Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconПолупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров
Ведущая организация Физико технический институт им. А. Ф. Иоффе ран защита состоится «15» октября 2009 г в 16 час на заседании совета...
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconИсследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений aiiibv методом поля валентных сил
Д 002. 205. 02 в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе (194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26)
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconАзотсодержащие полупроводниковые твердые растворы aiiibv-n новый материал оптоэлектроники
Академик ран, доктор технических наук, профессор Красников
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconИсследование и оптимизация процесса реактивно ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции
Защита состоится «03» июня 2008 г в 1430 ч на заседании диссертационного
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconНовые композиционные материалы на основе стереоизомеров полипропилена и углеродных нанотруб, полученные методом полимеризации in situ
Защита диссертации состоится «27» ноября 2008 г в 11 часов на заседании
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconНовые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 5 мкм
Российской академии наук Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе ран по адресу: 194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая,...
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconТехнология осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления
Защита диссертации состоится «22» декабря 2011 года в 15. 00 на заседании совета по
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconИсследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок аiiiвv и контактов металл/aiiibv методом атомно-силовой микроскопии
«Томский государственный университет» по адресу: 634050, г. Томск, пр. Ленина, 34 а
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconТехнология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления
Специальность: 05. 27. 06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений aiiibv, полученные методом реактивного ионного травления iconФормирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе f e и c a 2 s I на s I (111)
Формирование и полупроводниковые свойства тонких слоев на основе Fe и Ca2Si на Si(111)
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница