Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка


PDF просмотр
НазваниеДислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка
страница1/14
Труханов Евгений Михайлович
Дата конвертации12.10.2012
Размер169,93 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика конденсированного состояния)
Год2001
На соискание ученой степениДОКТОР физико-математических НАУК

Похожие:

Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconИсследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях
В настоящее время активно развивается физика низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур. Интерес к подобным исследованиям
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconЭлектронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge
...
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconОсобенности взаимодействия электромагнитного излучения свч-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка-диэлектрик-полупроводник
Излучения свч-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка–диэлектрик–полупроводник
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconСложные оксиды кобальта: синтез, структура, транспортные и каталитические свойства
Работа выполнена в лаборатории химии и физики полупроводниковых и сенсорных
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconКоллективные свойства экситонных квазичастиц в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
В то же время, воспроизводимость полупроводниковых ге- тероструктур, возможность тиражирования является ключевым
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconДислокационная люминесценция в кремнии с различным примесным составом
Ведущая организация: Учреждение Российской академии наук
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconСтруктурная релаксация в аморфных материалах и влияние напряжений на прочность композиции «покрытие подложка»
Защита состоится «1» октября 2008 г в 1100 часов на заседании диссертационного
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconПовышение эффективности производства полупроводниковых материалов на основе управления технико-экономическими показателями
Давыденко Павел Александрович повышение эффективности производства полупроводниковых
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconТезисы докладов. Киев. 2007. С. 119-120
В. К. Экспериментальное исследование ползучести и длительной напряженных состояниях
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка iconВзаимовлияние волновых и колебательных процессов в предварительно напряженных элементах и системах
Работа выполнена в Московском Государственном Университете леса (мгул), г. Москва
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница