Специальность "Физика полупроводников"

Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Ме/Si(111)Взаимодействие атомов Ge с поверхностными реконструкциями в системе Ме/Si(111)
Защита состоится 3 декабря 2010г в 13: 00 на заседании диссертационного совета Д005. 007. 02 при Институте автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской Академии наук по адресу
Автореферат 209,47 Kb. 1 стр.
читать
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного fe и CrДиффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного fe и Cr
Томском госуниверситете активно развивается элементная база функциональной
Автореферат 129,88 Kb. 8 стр.
читать
Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и втсп соединенийРазработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и втсп соединений
Оптоэлектроника и ее достижения неотъемлемая часть жизни современного
Автореферат 189,13 Kb. 15 стр.
читать
Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата литияВзаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Казанский государственный энергетический университет»
Автореферат 387,02 Kb. 3 стр.
читать
Электронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками geЭлектронная структура напряженных гетероструктур ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками ge
Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения ран
Автореферат 92,8 Kb. 7 стр.
читать
Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной кмоп технологии электрофизическими методамиРазработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной кмоп технологии электрофизическими методами
Защита диссертации состоится «24» мая 2012 г в 16-00 часов на заседании
Автореферат 110,69 Kb. 8 стр.
читать
Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоямиФотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
Работа выполнена в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники ран, г. Москва
Автореферат 331,88 Kb. 2 стр.
читать
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге: расслоение на стадии оствальдовского созреванияПреципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге: расслоение на стадии оствальдовского созревания
Защита состоится «27» декабря 2011 г в «15» часов на заседании диссертационного
Автореферат 132,37 Kb. 7 стр.
читать
Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурахПроявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах
Работа выполнена в Приднестровском государственном университете им. Т. Г. Шевченко, г. Тирасполь
Автореферат 57,14 Kb. 1 стр.
читать
Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремнияМоделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния
Работа выполнена на кафедре Физических методов в прикладных исследованиях Государственного образовательного учреждения высшего
Автореферат 249,29 Kb. 2 стр.
читать
Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированиемЭлектронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
Работа выполнена на кафедре физики в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Пензенский государственный университет»
Автореферат 215,04 Kb. 2 стр.
читать
Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAsТуннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
Автореферат 324,2 Kb. 3 стр.
читать
Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремнияМорфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
Гоу впо московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Автореферат 270,56 Kb. 3 стр.
читать
Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I, III групп на поверхности кремнияИсследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I, III групп на поверхности кремния
Автореферат 263,22 Kb. 11 стр.
читать
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцемГенерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Автореферат 277,12 Kb. 2 стр.
читать

  1   2   3   4   5   6   7   8
Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница