Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка


Скачать 169,93 Kb.
PDF просмотр
НазваниеДислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка подложка
страница1/14
Труханов Евгений Михайлович
Дата конвертации12.10.2012
Размер169,93 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика конденсированного состояния)
Год2001
На соискание ученой степениДОКТОР физико-математических НАУК
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14

На правах рукописи 
 
 
 
 
 
 
 
Труханов Евгений Михайлович  
 
 
  
ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТРУКТУРА НАПРЯЖЕННЫХ 
 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСИСТЕМ  
ПЛЕНКА – ПОДЛОЖКА 
 
 
Специальность 01.04.07 
(физика конденсированного состояния
 
 
 
 
АВТОРЕФЕРАТ 
 
 
ДИССЕРТАЦИИ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙ СТЕПЕНИ 
ДОКТОРА ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ НАУК 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Новосибирск - 2001 


Работа выполнена в Институте физики 
полупроводников Сибирского Отделения РАН 
 
Научный консультант: 
доктор физико – математических наук 
профессор О.П. Пчеляков 
Официальные оппоненты:  
академик РАН, доктор химических наук  
профессор В.В. Болдырев 
 
доктор физико – математических наук  
профессор Р. М. Имамов 
 
член – корр. РАН, доктор физ. – мат. наук 
профессор В. Г. Лифшиц 
 
 
 
Ведущая организация:                                  Институт проблем технологии микроэлектро- 
ники    и    особочистых     материалов    РАН 
 
 
Защита   состоится 
29     января      2001 года      в    15 часов  
На  заседании   диссертационного   ученого   совета    Д. 003. 037. 01  
в Институте  физики  полупроводников Сибирского Отделения РАН 
по адресу: 6300906 Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13.  
 
 
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке  
Института    физики    полупроводников    СО РАН 
 
 
 
Автореферат разослан   “_____”    декабря           2001 г.  
 
Ученый секретарь  
диссертационного совета 
д.ф.-м. н, профессор                                                                                Двуреченский А.В.   
 
2

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ 
 
Актуальность проблемы 
В  настоящее  время  развитие  технологии  эпитаксии  в  значительной  мере 
определяется  пониманием  процессов  пластической  релаксации  напряжений 
несоответствия.  Такие  проблемы,  как  перенос  компонентов  к  поверхности 
подложки,  хемосорбция  на  данной  поверхности  атомов  пленки,  управление 
механизмами  двумерного  роста  псевдоморфного  слоя,  в  настоящий  момент 
являются  существенно  более  разработанными  по  сравнению  с  проблемой  снятия 
напряжений  несоответствия  в  растущем  эпитаксиальном  слое.  Задача  управления 
типом  дислокаций  несоответствия  (ДН)  при  гетероэпитаксии  впервые  была 
сформулирована в 1980 г. С.И. Стениным. В работах [1*, 2*], выполненных под его 
руководством,  были  рассчитаны  и  экспериментально  подтверждены  условия 
управляемого  перехода  от  частичных  дислокаций  несоответствия  к  полным.  Было 
показано,  что  управление  типом  ДН  тем  проблематичней,  чем  выше  параметр 
несоответствия f (относительная  разность  постоянных  кристаллических  решеток 
сопрягаемых  слоев).  Благодаря  переходу  от  сингулярной  ориентации  границы 
раздела (111) к вицинальным была продемонстрирована возможность выращивания 
эпитаксиальных пленок, имеющих величину f около 1%, без дефектов упаковки. В 
настоящее  время  основными  дефектами,  на  устранение  которых  направлены 
попытки  управления  процессом  снятия  напряжений  несоответствия,  являются 
неподвижные 
пронизывающие 
дислокации 
(ПД), 
которые 
соединяют 
расположенные в границе раздела ДН со свободной поверхностью пленки. Природа 
их  образования  тщательно  изучается  в  мировой  литературе [3*-5*]. Появление 
данных дефектов в значительной мере определяется типом и количеством вводимых 
дислокационных  семейств.  В  частности,  для  отфильтровывания  нежелательных 
семейств ДН авторами [6*] применен микрорельеф, который приводит к изменению 
величины энергетического барьера, преодолеваемого дислокациями разного типа. 
Несмотря  на  активные  теоретические  и  экспериментальные  исследования 
данной  проблемы,  в  настоящее  время  пленки,  выращиваемые  на  подложках 
удовлетворительного  структурного  качества,  оказываются  более  дефектными,  чем 
подложки,  если  величина f составляет 1% или  более.  Это,  в  частности,  тормозит 
развитие  технологии  получения  высокосовершенных  объемных  кристаллов 
различных  полупроводниковых  соединений  с  применением  эпитаксии.  Данная 
 
3
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14

Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница