Оптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия


Скачать 219,95 Kb.
PDF просмотр
НазваниеОптическая спектроскопия колебательных и электронных состояний полупроводниковых наноструктур кремния и арсенида галлия
страница1/11
Авакянц Лев Павлович
Дата конвертации15.08.2012
Размер219,95 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьОптика
Год2010
На соискание ученой степениДоктор физико-математических наук
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11
На правах рукописи
Авакянц Лев Павлович
ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ И
ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
НАНОСТРУКТУР КРЕМНИЯ И АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Специальность 01.04.05 - оптика
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени
доктора физико-математических наук
Москва - 2010

Работа выполнена на кафедре общей физики физического факультета
Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова.
Официальные оппоненты:
доктор физико-математических наук,
профессор                                                           Бункин Николай Федорович,
                                                                             Институт общей физики имени А.М. Прохорова
                                                                             Российской академии наук;
доктор физико-математических наук,
профессор                                                           Маврин Борис Николаевич,
                                 Институт спектроскопии
                                      Российской академии наук;
доктор физико-математических наук,
профессор                                                          Пенин Александр Николаевич,
                                                               Московский государственный университет
                                                                 имени М.В. Ломоносова, физический факультет;
Ведущая организация:
Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН.
Защита  состоится 16 июня 2010 года  в 15 часов  на  заседании  совета  по  защите
докторских  и  кандидатских  диссертаций  Д 501.001.45 при  Московском  государственном
университете  имени  М.В. Ломоносова  по  адресу: Россия, 119991, Москва, Ленинские  горы,
дом 1, строение 5 (19 корпус НИИ ядерной физики МГУ), аудитория 2-15.
С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке НИИ ядерной физики имени
Д.В. Скобельцына МГУ имени М.В.Ломоносова.
Автореферат разослан 14 мая 2010 года.
Ученый секретарь совета по защите
докторских и кандидатских диссертаций Д 501.001.45
кандидат физико-математических наук
                               О.М. Вохник
2

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность.
Полупроводниковые  структуры  на  основе  кремния  и  арсенида  галлия  являются
основными  элементами  современной  опто - и  микроэлектроники. Изменение  оптических
свойств этих материалов при локализации фононов и свободных носителей в области размером
L порядка  нескольких  нм, представляет  интерес  как  с  фундаментальной, так  и  с  прикладной
точек зрения. Имеется важное различие между квантово-размерными эффектами (при которых
волновой вектор частицы дискретен) и размерными эффектами, обусловленными локализацией
вследствие  рассеяния  на  дефектах  и  примесях (в  этом  случае  затухание  волны  приводит  к
непрерывному распределению волнового вектора с шириной ~1/L).
Размерные  эффекты  могут  быть  существенны  при  модификации  характеристик
материалов  с  помощью  различных  технологических  воздействий: ионной  имплантации,
отжигов  различного  типа, легирования  и  т.д. Такие  воздействия, как  правило, приводят  к
разупорядочению  кристаллической  решетки  в  приповерхностном  слое. Причем, тип
сформировавшейся  структуры  во  многом  определяет  электрофизические  характеристики
материала.
Актуальность  исследования  такого  рода  структур  оптическими  методами  обусловлена
тем, что  основные  тенденции  современной  электроники  направлены  на  создание
полупроводниковых  приборов  с  размерами  порядка  нескольких  нанометров (в  том  числе  и
интегрированных в микросхемы), диагностика которых традиционными методами (например,
эффект Холла) оказывается затруднительной.
Закономерности  изменения  спектра  комбинационного  рассеяния (КР) вследствие
разупорядочения были впервые получены Шукером и Гаммоном [Shuker R., Gammon R. Raman
scattering  selection-rule  breaking  and  the  density  of  states  in  amorphous  materials.  //  Phys.  Rev.B.
1970. V.25, N 4. P.222-225.], которые  предположили, что  различие  между  кристаллическим  и
аморфным  состоянием  вещества  состоит  в  протяженности  области  существования
пространственных  корреляций. Несмотря  на  то, что  разупорядоченные  полупроводниковые
структуры  исследовались  оптико-спектроскопическими  методами, в  частности, методом  КР
[Бродский  М.Х.  Комбинационное  рассеяние  света  в  аморфных  полупроводниках. // Рассеяние
света в твердых телах./ Под ред. М. Кардоны. М., "Мир", 1979. Гл.5, С. 239-289.] ряд задач еще
требует своего решения. В частности, для выбора технологических режимов, обеспечивающих
оптимальную  активацию  примеси, необходимо  знание  динамики  процессов  разупорядочения
при  имплантации  и  рекристаллизации  при  отжиге. Выявление  особенностей  КР, дающих
информацию о типе структуры и взаимодействии электронной и фононной подсистем в ионно-
3
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11

Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница