Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния


Скачать 112,53 Kb.
PDF просмотр
НазваниеРазработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
страница1/7
РЫЖУК Роман Валериевич
Дата конвертации16.08.2012
Размер112,53 Kb.
ТипАвтореферат
Год2010
На соискание ученой степениКандидат технических наук
  1   2   3   4   5   6   7

На правах рукописи 
 
 
 
 
 
 
 
РЫЖУК Роман Валериевич 
 
 
 
 
РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСНОВ 
ФОРМИРОВАНИЯ ДИОДНЫХ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СТРУКТУР 
НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ 
 
 
 
 
Специальность: 05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные  
компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах 
 
 
 
 
 
АВТОРЕФЕРАТ 
диссертаци и на соискание ученой степени 
кандидата технических наук 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Таганрог – 2010 


 

Работа выполнена в Технологическом институте 
Южного федерального университета  
в г. Таганроге 
на кафедре “Технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры”  
 
Научный руководитель: 
доктор технических наук, профессор 
 
Н.И. КАРГИН (Национальный 
исследовательский ядерный университет 
«МИФИ», г. Москва) 
 
 
 
Официальные оппоненты: 
доктор технических наук, профессор 
 
Г.Д. КУЗНЕЦОВ (Национальный 
исследовательский технологический 
университет «МИСиС», г. Москва) 
 
 
 
доктор технических наук, профессор  
 
Г.Г. ЧЕРВЯКОВ (ТТИ ЮФУ, г. Таганрог) 
 
 
Ведущая организация: 
Санкт-Петербургский государственный 
электротехнический университет (ЛЭТИ) 
(г. Санкт-Петербург) 
 
Защита  состоится  «30»  сентября  2010 г.  в  14 ч. 20 мин.  на  заседании 
диссертационного  совета  Д212.208.23  в  Технологическом  институте  Южного 
федерального  университета в г.  Таганроге  по адресу:  347928, г. Таганрог,  ул. 
Шевченко, 2, ауд. Е-306 
 
С  диссертацией  можно  ознакомиться  в  Зональной  библиотеке  Южного 
федерального университета. 
 
 
 
Автореферат разослан « 28 »  августа  2010 г. 
 
 
 
 
Ученый секретарь 
диссертационного совета, 
доктор технических наук, профессор                                              И.Б. Старченко 

 

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ 
 
Актуальность темы 
Стремительное 
развитие 
современной 
электроники, 
атомной 
промышленности,  ядерной  энергетики,  военной  и  космической  техники 
предъявляет высокие требования к свойствам электронных приборов и устройств, 
предназначенных  для  экстремальных  условий  эксплуатации  –  при  повышенных 
температурах,  уровне  радиации,  а  также  в  химически  агрессивных  средах. 
Приборы на основе традиционных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaAs 
и т.д.) не способны удовлетворить комплексу всех этих требований. В связи с чем, 
интерес  исследователей  и  технологов  все  больше  привлекает  перспективный 
широкозонный материал – карбид кремния (SiC) и устройства на его основе. 
Благодаря уникальным свойствам карбида кремния приборы на его основе 
имеют  ряд  преимуществ  перед  традиционными  кремниевыми  и  арсенид-
галлиевыми  аналогами.  Во-первых,  это  увеличение  температурного  диапазона 
эксплуатации  SiC  приборов  (теоретически  до  1000  °С).  Во-вторых,  это 
значительное  снижение  сопротивления  в  открытом  состоянии  и,  следовательно, 
увеличение  удельной  мощности  прибора.  В  третьих,  высокая  теплопроводность 
карбида  кремния  (на  уровне  меди  при  комнатной  температуре)  в  сочетании  с 
меньшим  сопротивлением  в  открытом  состоянии  и  большей  плотностью  тока 
позволяют  использовать  меньшие  по  размерам  кристаллы,  что  делает  SiC 
приборы,  особенно  диоды  и  транзисторы  на  основе  p-n-перехода, 
перспективными для силовой и экстремальной электроники. 
Наиболее  важными  технологическими  операциями  при  изготовлении 
карбидокремниевых приборов являются процессы формирования p-n-переходов и 
низкоомных  омических  контактов.  Чрезвычайно  высокие  температуры  (более 
2000  °С)  сильно  затрудняют  технологический  процесс  создания  p-n-перехода  на 
SiC методом диффузии. Метод CVD, часто используемый для формирования p-n-
перехода  на  основе  SiC,  предъявляет  высокие  требования  к  чистоте 
теплоизоляции,  газам-носителям,  материалу  держателей  подложки,  что 
значительно  увеличивает  стоимость  готовой  продукции.  В  этой  связи  особое 
значение имеют работы по созданию карбидокремниевых приборов на основе p-n-
перехода  методом  ионной  имплантации,  который  позволяет  прецизионно 
управлять  концентрацией  вводимой  примеси  и  обладает  локальностью 
воздействия. 
К  началу  данной  работы  практически  отсутствовали  сведения  о  влиянии 
режимов  ионной  имплантации  на  свойства  и  характеристики  создаваемых  SiC 
диодных  структур.  Отсутствовали  теоретические  модели,  позволяющие  
объяснить  и  прогнозировать  свойства  приборов  на  основе  карбида  кремния, 
получаемых  методом  ионной  имплантации.  Несмотря  на  большой  объем  работ, 
посвященных  исследованию  омических  контактов  к  карбиду  кремния,  в 
литературных 
источниках 
недостаточно 
сведений 
по 
исследованию 
температурной  стабильности  омических  контактов  на  основе  тугоплавких 
материалов,  а  также  практически  отсутствует  сравнительная  характеристика 
  1   2   3   4   5   6   7

Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница