Исследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях


Скачать 110,54 Kb.
PDF просмотр
НазваниеИсследования особенностей роста и фотолюминесценции ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на si(001) подложках и напряжённых si1-xGex слоях
страница1/7
Лобанов Дмитрий Николаевич
Дата конвертации07.09.2012
Размер110,54 Kb.
ТипАвтореферат
СпециальностьФизика конденсированного состояния
Год2006
На соискание ученой степениКандидат физико-математических наук
  1   2   3   4   5   6   7
На правах рукописи 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Лобанов Дмитрий Николаевич 
 
 
 

ИССЛЕДОВАНИЯ ОСОБЕННОСТЕЙ РОСТА И 
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ Ge(Si) САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ 
ОСТРОВКОВ, ВЫРАЩЕННЫХ НА Si(001) ПОДЛОЖКАХ И 
НАПРЯЖЁННЫХ Si1-xGex СЛОЯХ 
 
 

 
 
 

01.04.07- физика конденсированного состояния 
  
 
 
 
 

Автореферат 
диссертации на соискание ученой степени 
кандидата физико-математических наук 
 
 
 
 
 
Нижний Новгород - 2006 

Работа выполнена в Институте физики микроструктур РАН 
 
 
 
Научный руководитель: 
 
кандидат физико-математических наук 
А.В.Новиков  
 
 
Официальные оппоненты:    
доктор физико-математических наук 
Г.Э.Цырлин 
 
 
доктор физико-математических наук, 
профессор И.А.Карпович 
 
 
Ведущая организация: 
Физический институт им. П.Н.Лебедева, 
г.Москва 
 
 
 
Защита  состоится  13  апреля  2006  г.  в  14  часов  на  заседании 
диссертационного совета Д 002.098.01 в Институте физики микроструктур 
РАН (603950, г. Нижний Новгород, ГСП-105). 
 
 
 
С  диссертацией  можно  ознакомиться  в  библиотеке  Института  физики 
микроструктур РАН.  
 
 
 
Автореферат разослан _13_ марта 2006 г. 
 
 
 
Ученый секретарь  
диссертационного совета  
доктор физико-математических 
наук, профессор 
 
 
 
 
 
 
 
К.П.Гайкович 
 2

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ 
 
Актуальность темы исследований 
В  настоящее  время  активно  развивается  физика  низкоразмерных 
полупроводниковых  гетероструктур.  Интерес  к  подобным  исследованиям 
связан  как  с  изучением  фундаментальных  физических  явлений, 
проявляющихся  в  низкоразмерных  системах,  так  и  с  возможностью 
применения таких структур в полупроводниковых приборах. Несмотря на 
то,  что  наибольшие  успехи  в  области  практического  использования 
гетероструктур  к  настоящему  времени  достигнуты  для  полупроводников 
группы  A3B5  [1],  значительный  интерес,  как  с  фундаментальной,  так  и  с 
прикладной  точки  зрения  представляют  исследования  низкоразмерных 
гетероструктур на основе кремния. 
Германий  является  наиболее  интересной  гетеропарой  для  кремния, 
позволяя  получать  эпитаксиальные  гетероструктуры  на  кремневых 
подложках в широком диапазоне состава и толщин слоев твердого раствора 
SiGe.  В  настоящее  время  ведутся  активные  исследования  особенностей 
роста  и  свойств  SiGe/Si(001)  гетероструктур  с  квантовыми  ямами  и 
квантовыми  точками  (см.  например  [2]).  Данная  диссертация  посвящена 
изучению  особенностей  формирования  и  фотолюминесценции  одного  из 
типов 
низкоразмерных 
систем 
на 
Si 
подложках 
– 
Ge(Si) 
самоформирующимся  островкам.  Актуальность  исследования  Ge/Si 
структур связана с выявлением на примере данной гетеропары общих для 
напряженных полупроводниковых гетероструктур механизмов зарождения 
и роста самоформирующихся нанообъектов.  
Электрические 
и 
оптические 
свойства 
полупроводниковых 
гетероструктур с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками зависят от 
энергетического  спектра  носителей  заряда  в  островках.  Последний 
существенно  зависит  от  таких  параметров  островков  как  их  размеры, 
состав, форма и упругие напряжения. В связи с этим, важно уметь получать 
структуры с самоформирующимися островками, имеющими определённые 
параметры.  К  моменту  начала  работ  над  диссертацией  процессы 
зарождения  и  роста  Ge(Si)  самоформирующихся  островков  на  Si(001) 
подложках  были  достаточно  подробно  исследованы.  Для  структур  без 
верхнего  покровного слоя была получена экспериментальная зависимость 
состава  Ge(Si)/Si(001)  самоформирующихся  островков  от  температуры 
роста  [3,  4].  В  то  же  время  имелись  лишь  единичные  исследования 
параметров  Ge(Si)  островков  с  покровным  слоем  в  одно  и  многослойных 
структурах.  
Наряду с исследованием особенностей роста Ge(Si) самоформирующихся 
островков  важным  является  установление  однозначной  связи  между 
 3
  1   2   3   4   5   6   7

Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница