Автореферат диссертации на соискание учёной степени


Скачать 165,57 Kb.
PDF просмотр
НазваниеАвтореферат диссертации на соискание учёной степени
страница1/11
Зверев В Н
Дата конвертации11.09.2012
Размер165,57 Kb.
ТипАвтореферат диссертации
СпециальностьГ. Черноголовка, Московская Область, ИФТТ РАН, ул. Институтская, д.2
Год2010
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11
На правах рукописи 
Работа выполнена в Учреждении Российской академии наук  
Институт физики твёрдого тела РАН. 
 
 
 
Научный руководитель:  
доктор  физико-математических  наук, 
профессор 
 
Кулаковский Владимир Дмитриевич 
 
Официальные оппоненты:  
доктор  физико-математических  наук, 
                       БРИЧКИН Андрей Сергеевич 
Долганов Владимир Карлович 
 
 
Кандидат физико-математических наук 
ВЛИЯНИЕ  SP-D ОБМЕННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ  
Мельник Николай Николаевич 
 
НА ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ  
Ведущая организация: 
Физико-Технический  Институт  им.  А.Ф. 
В ПОЛУМАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ  
Иоффе Российской Академии Наук 
 КВАНТОВЫХ ЯМАХ И ТОЧКАХ 
 
Защита диссертации состоится   «9»   марта  2010 г.  
 
В 10 ч. 00 мин. на заседании диссертационного совета Д 002.100.01  при 
01.04.07 – физика конденсированного состояния 
Учреждении  Российской  академии  наук  Институт  физики  твёрдого  тела 
 
РАН  по  адресу:  142432,  г.  Черноголовка,  Московская  Область,  ИФТТ 
 
РАН, ул. Институтская, д.2 
 
 
АВТОРЕФЕРАТ 
 
диссертации на соискание учёной степени 
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИФТТ РАН, по адресу: 
кандидата физико-математических наук 
142432, г. Черноголовка,  ул. Институтская, д.2  
 
Автореферат разослан «5»  февраля 2010 г. 
 
Учёный секретарь диссертационного  совета                      Зверев В. Н. 
Доктор физико-математических наук                   
Черноголовка 
 
© Бричкин А.С.  2009  
2010 
© ИФТТ РАН   2009 
© ИПХФ РАН  2009 
 


 

Общая характеристика работы 
условия  были  реализованы  в  данной  работе,  что  позволило  не  только 
 
исследовать  влияние  sp-d  обменного  взаимодействия  на  энергию 
Актуальность  проблемы.  В  последние  годы  большое  внимание 
основного  состояния  экситона  в  нейтральных  и  заряженных  КТ,  но  и 
уделяется исследованию спиновой
детально изучить эффект этого взаимодействия на тонкую структуру.
 подсистемы экситонов и электронов в 
 
низкоразмерных  полупроводниковых  структурах  [1].  Полумагнитные 
Одним  из  наиболее  широко  исследуемых  эффектов  обменного 
полупроводниковые  гетероструктуры,  благодаря  широкой  возможности 
взаимодействия в полумагнитных структурах является формирование ЭМП 
манипулирования  электронными  и  магнитными  свойствами,  являются 
[12,13].  Несмотря  на  интенсивные  исследования  свойств  ЭМП  в 
перспективными  объектами  для
полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах [13,14], ряд вопросов, 
  спиновой  электроники  («спинтроники»), 
использующей  в  качестве  носителя  информации  спиновые  состояния 
касающихся  кинетики  формирования  и  распада  ЭМП,  до  настоящего 
носителей  заряда  [2].  Использование  спинового  состояния  электронов  и 
времени  так  и  не  получил  полного  экспериментального  прояснения.  К  их 
экситонов  в  квантовых  точках  (КТ)  перспективно  для  реализации 
числу,  в  частности,  относятся  проблемы  конкуренции  механизмов 
квантового  бита  (qubit)
магнитной
  и  квантовых  вычислений,  а  также  для  создания 
 
и 
немагнитной 
локализации 
и 
сосуществования 
в 
магнитной  и  магнитооптической  памяти  [3].  Весьма  интересными 
гетероструктурах    Zn1-xMnxSe/ZnSySe1-y  с  квантовыми  ямами  (КЯ)  и 
обьектами  исследования  являются  полумагнитные  полупроводниковые 
сверхрешѐтками  типа  II  экситонных  состояний  с  сильной  и  слабой 
КТ,  позволяющие  реализовать  большую  спиновую  поляризацию 
магнитной локализацией [15,16].  
носителей  в  слабых  магнитных
Для  определения  природы  этого  явления  в  данной  работе  были 
  полях  благодаря  sp-d  обменному 
взаимодействию  между  носителями  заряда  и  ионами  магнитных 
исследованы множественные КЯ Zn1-xMnxSe/ZnSxSe1-x, характеризующиеся 
примесей.
большими  временами  жизни  экситонных  состояний,  что  позволило 
 
Оптические исследования экситонных состояний в одиночных КТ 
исследовать  ЭМП  в  квазиравновесных  условиях  и  подробно  изучить 
в полупроводниковых наноструктурах с размерами КТ меньше боровского 
механизмы его формирования. 
радиуса  экситона  в  объѐмном  полупроводнике  позволяют  получить 
 
практически  полную  информацию  об  электрон
Целью 
диссертационной 
работы
-электронном  и  электрон-
 
является 
экспериментальное 
дырочном 
обменном 
взаимодействиях, 
определяющих 
спиновую 
исследование  влияния  эффекта  sp-d  обменного  взаимодействия  на 
структуру данных состояний экситона.
энергию  и  тонкую  структуру  экситонных  состояний  в  нейтральных  и 
 
Исследования  одиночных  полумагнитных  КТ  на  момент  начала 
заряженных  КТ  в  полумагнитных  полупроводниковых  структурах 
данной  работы  были  немногочисленны  и,  в  основном,  ограничены 
CdSe/ZnSe/ZnMnSe 
и 
на 
магнитную 
локализацию 
экситонов 
в 
изучением  основного  состояния  экситона  в  незаряженных  КТ  [4,5,6,7].
полумагнитных гетероструктурах второго типа 
 
ZnMnSe/ZnSSe.  
Обменное  взаимодействие  приводит  к  понижению  энергии  экситона  и 
 
образованию  экситонных  магнитных  поляронов  (ЭМП).  Тонкая  структура 
Методы  исследований.  Исследование  эффекта  sp-d  обменного 
экситонных  состояний  в  КТ  при  этом  не  наблюдается  из
взаимодействия  на  экситонные  состояния  осуществлялось  с  помощью 
-за  сильного 
уширения  уровней  вследствие  флуктуаций  намагниченности  ионов 
метода 
магнетофотолюминесценции. 
Исследовались 
линейно 
и 
магнитной  примеси  в  области  локализации  носителя  заряда  [5,8,9]. 
циркулярно поляризованные спектры ФЛ КЯ и КТ в режиме непрерывного и 
Наличие  магнитной  примеси  в  широкозонных 
импульсного  лазерного  возбуждения  в  магнитных  полях  до  12
II-VI  полупроводниках 
 Тл  при 
приводит 
также 
к 
радикальному 
уменьшению 
сигнала 
гелиевых  температурах.  Для  исследования  спектров  одиночных  КТ  на 
фотолюминесценции 
(ФЛ) 
из
образцах,  выращенных  методом  молекулярно
-за 
интенсивной 
безызлучательной 
-пучковой  эпитаксии,  с 
рекомбинации экситонов на магнитных ионах [10,11]. Эти нежелательные 
помощью  фотолитографии  и  химического  травления  были  приготовлены 
эффекты можно в значительной мере подавить, если между немагнитной 
мезы  с  размером  порядка  100  нм,  содержащие  всего  несколько 
КТ из 
одиночных
CdSe и полумагнитным ZnMnSe барьером поместить дополнительно 
 КТ. 
тонкий  немагнитный  барьер  из  ZnSe,  который  приводит  к  уменьшению 
 
перекрытия  волновых  функций  электрона  и  дырки  в  КТ  с  магнитными 
Научную  новизну  работы  составляют  следующие  положения, 
ионами  в  барьере.  Варьируя  толщину 
выносимые на защиту:
ZnSe  слоя,  можно  реализовать 
 
условия, когда sp-d обменное взаимодействие спинов электронов (дырок) 
 
с  магнитными  ионами  доминирует  над  электрон
1) Исследована фотолюминесценция экситонов, локализованных в 
-дырочным  обменным 
взаимодействием,  а  неоднородное  уширение  экситонных  уровней 
нейтральных  и  заряженных  CdSe/ZnSe/ZnMnSe  одиночных  КТ  в  широком 
становится меньше расщепления  экситонных состояний в одиночных КТ 
диапазоне температур и магнитных полей. 
вследствие  обменного  электрон-дырочного  взаимодействия.  Такие 
 


 
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11

Разместите кнопку на своём сайте:
поделись


База данных защищена авторским правом ©dis.podelise.ru 2012
обратиться к администрации
АвтоРефераты
Главная страница